从需求端来看，通货膨胀压力及 AI个人电脑应用场景的缺乏，共同阻碍了大规模升级周期的形成 。
在供应端，主要制造商于第三季度恢复了满负荷生产，同时其他供应商亦通过技术革新提升了产能，共同推动了整体供应能力的提升，进而加剧了市场价格竞争。
根据市场研究公司Trend Force的最新报告，尽管第三季度的NAND平均售价（ASP）预计将上涨5%至10%，但第四季度却预计将出现3%至8%的下滑。
在消费类NAND产品中，价格跌幅尤为显著。特别是用于高端及旗舰智能手机的eMMC和UFS产品，预计第四季度价格将下降8%至13%。
全球经济低迷背景下，智能手机平均更换周期延长至三年，且市场缺乏能够替代智能手机的突破性应用，导致智能手机及笔记本电脑制造商采取更为保守的库存管理策略，进而影响了NAND订单的发放。
个人电脑用SSD及通用闪存存储（UFS）市场则因终端产品销售不振，买家普遍采取更为审慎的采购策略，进一步加剧了市场的不确定性。
企业级SSD市场预计价格将经历0%至5%的增长，然而，此增幅较初期预测有所缩减。第四季GA黄金甲平台度，服务器OEM订单显著缩减，部分归因于企业客户对AI服务器部署的延缓。
对于eMMC和UFS市场，这两款主要应用于智能手机的产品，其价格预计在第四季度将下滑8%至13%。
此外，NAND晶圆价格亦面临下行压力。继第三季度3%至8%的降幅后，第四季度NAND晶圆价格预计还将再下降10%至15%。
这一趋势主要归因于模块制造商库存积压严重，以及部分供应商为保持市场竞争力而采取的降价策略。
这些预测凸显了NAND闪存市场整体承受的价格下行压力，尤其在面向消费者的细分市场中，随着年底购物季的临近，大幅度的价格调整已成市场期待。
Trend Force预测，虽然第三季度通用DRAM平均价格上涨了8%至13%，但第四季度涨幅将大幅收窄至0%至5%。
具体到不同应用场景的DRAM产品而言，PC用DRAM和显卡用DRAM价格预计将在第四季度维持与上季度相似的水平；
不过，受智能手机需求下滑的影响，移动DRAM价格预计将在第四季度下降5%至10%。
在消费级DRAM领域，DDR5价格预计下降0%至5%，而DDR4价格则预计保持稳定。
在第三季度，众多核心制造商已成功恢复全面生产能力，部分供应商则凭借技术创新与改进，实现了产能的显著提升，进而推动了整体供应能力的增强。
然而GA黄金甲平台，由于市场需求持续疲软，这一供应增长态势与需求之间形成了鲜明对比，最终导致了供应过剩的局面。
根据提供的数据，无论是DDR、SSD、LPDDR还是eMMC等存储产品类别，其价格趋势在观察期间均呈现出显著的下降趋势。
为应对此状况，主要闪存制造商正考虑调整生产计划，减少对非易失性内存的投资，并可能转向生产高带宽内存（HBM）。
目前，所有主要的3D NAND制造商，包括Kioxia、美光、三星和SK海力士，均在评估减少非易失性存储器产量及扩建额外闪存容量投资的可行性。
此举措有望稳定3D NAND价格，并可能在短期内至中期内对DRAM价格产生抑制作用。
鉴于当前市场态势，三星与SK海力士等公司正将战略重心转移至DRAM领域，因该领域展现出更为强劲的需求。
在供应层面，存储原厂在供应策略方面采取了更为谨慎的态度，显示出对市场的深思熟虑。
与此同时，在需求方面，由于云服务提供商对AI硬件领域的持续投资，服务器领域内对高速、大容量存储产品的需求呈现出显著的增长趋势。
展望未来，TrendForce集邦咨询预测HBM在DRAM总收入中的占比将持续扩大，从2023年的8%增长至2024年的21%，并有望在2025年进一步突破30%的大关。
此外，随着AI平台对新一代HBM产品的积极采用，TrendForce预计2025年HBM需求将主要集中在HBM3e世代产品上。
其中12hi产GA黄金甲平台品占比将超过一半，成为下半年AI领域主要竞争厂商争相布局的主流产品。
摩根士丹利近期发布了一系列减持行动，主要基于智能手机与PC需求下滑，进而导致通用DRAM需求减弱，以及高带宽内存（HBM）市场供过于求、价格下跌的预测。
就HBM市场而言，从需求端观察，多家大型科技公司在人工智能领域的投资增速显著放缓，预示着由AI驱动的HBM需求增长动力明显减弱。
从供应端分析，预计明年HBM供给量将大幅超出市场需求，特别是三星电子全面进军HBM市场，将进一步加剧市场供给过剩的状况。
尽管AI领域的需求依然相对稳健，但传统终端市场的疲软态势已对DRAM价格预期构成压力。
初步迹象表明，2024年第四季度的DRAM定价环境将更具挑战性，且可能在2025年出现趋势性反转。
当前市场已发出卖出信号，预示着下一轮周期性下滑将于2025年启动，DRAM市场将持续面临供应过剩的问题，直至2026年，库存累积现象更是加剧了这一困境。
然而，鉴于终端市场风险的暴露及与DRAM市场相似的客户群体重叠，NAND与DRAM的周期性波动往往呈现同步趋势。
一旦AI领域出现显著的进展减速，其连锁反应将对内存市场产生深刻且广泛的负面影响。
具体而言，此类停滞现象极有可能导致对高性能内存产品，如HBM、DRAM以及SSD的需求出现急剧萎缩，进而对内存市场的预期增长轨迹及既有的投资模式造成扰动与调整。
随着制造商积极扩增产能以应对日益增长的市场需求，DRAM领域的资本支出预计将实现近20%的年度同比增长。
事实上，存储市场的竞争激烈，各大厂商为了争夺市场份额，不得不采取降价策略。
一方面，降价会降低厂商的利润空间；另一方面，厂商还需要面对库存损失的风险。
部分资料参考：半导体产业纵横：《存储价格，变了又变》，天天IC：《存储价格，下跌20%》GA黄金甲平台，中国电子报：《存储芯片价格为何一涨再涨？》，半导体行业观察：《新兴存储，冰火两重天》《存储芯片，再被看衰》，半导体芯情：《存储产品价格未来几月可能严重分化》《十月存储芯片出货量继续飙升，市场主要由什么需求拉动？》，闪德资讯：《双11战线拉长，存储价格再卷，市场乱象频出》
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